Коллектив/Публикации Путролайнена В.В.
Перейти к навигации
Перейти к поиску
СПИСОК опубликованных учебных изданий и научных трудов Путролайнена Вадима Вячеславовича
- Стефанович, Г. Б. Альтернативные методы нанесения оксиднованадиевого резиста [Текст] / Г. Б. Стефанович, Д. Г. Стефанович, Н. А. Кулдин [и др.] // Материалы Всерос. науч. конф. по физике низкотемпературной плазмы ФНТП-2004 / ПетрГУ. – Петрозаводск : Изд-во ПетрГУ, 2004. – Т. 1. – С. 205-208.
- Путролайнен, В. В. Термохромные индикаторы на основе двуокиси ванадия [Текст] / В. В. Путролайнен, Г. Б. Стефанович, А. А. Величко [и др.] // Фундаментальные исследования. – 2005. – № 2. – С. 50-51.
- Стефанович, Г. Б. Проявление неорганического резиста на основе метастабильного аморфного оксида ванадия [Текст] / Г. Б. Стефанович, А. А. Величко, А. Л. Пергамент [и др.] // Фундаментальные исследования. – 2005. – № 2. – С. 51-53.
- Черемисин, А. Б. Модификация физико-химических свойств тонких аморфных плёнок оксидов ванадия под действием излучения эксимерного лазера [Текст] / А. Б. Черемисин, В. В. Путролайнен, А. А. Величко [и др.] // Сборник трудов V Международной конференции "Аморфные и микрокристаллические полупроводники". – СПб., 2006. – С. 317-318.
- Putrolainen, V. V. UV patterning of vanadium pentoxide films for device applications [Text] / V. V. Putrolainen, A. A. Velichko, A. L. Pergament, A. B. Cheremisin, A. M. Grishin // J. Phys. D: Appl. Phys. – 2007. – Vol. 40, № 17. – Р. 5283-5286.
- Величко, А. А. Модель переключения в диоксиде ванадия [Текст] / А. А. Величко, Н. А. Кулдин, В. В. Путролайнен, А. Б. Черемисин, А. Л. Пергамент // Фундаментальные исследования. – 2008. – № 7. – С. 60.
- Путролайнен, В. В. Модификация и селективное жидкофазное химическое травление пленок аморфного пентоксида ванадия [Текст] / В. В. Путролайнен, А. А. Величко, А. Б. Черемисин, А. Л. Пергамент, Н. А. Кулдин // Фундаментальные исследования. – 2008. – № 7. – С. 62–63.
- Черемисин, А. Б. Механизм лазерно-индуцированной модификации физико-химических свойств тонких аморфных пленок пентаоксида ванадия, синтезированных методом импульсного лазерного испарения [Текст] / А. Б. Черемисин, А. А. Величко, В. В. Путролайнен, А. Л. Пергамент, Н. А. Кулдин // Фундаментальные исследования. – 2008. – № 6. – С. 105–107.
- Cheremisin, A. B. UV laser modification and selective ion-beam etching of amorphous vanadium pentoxide thin films [Text] = Модификация УФ-лазерным излучением и селективное травление пучком ионов тонких плёнок аморфного пентаоксида ванадия / A. B. Cheremisin, V. V. Putrolainen, A. A. Velichko [et al.] // Рhysica status solidi (a). – 2009. – Vol. 206, Issue 7. – Р. 1484–1487.
- Величко, А. А. Разработка методов микро- и нанолитографии по оксидным пленкам переходных металлов [Текст] / А. А. Величко, Д. А. Дутиков, Н. А. Кулдин [и др.] // Ученые записки ПетрГУ. – 2009. – Декабрь, № 11 (105). – С. 82-94.
- Путролайнен, В. В. Биполярное резистивное переключение в структуре. Si-SiO2-V2O5-Аu [Текст] / В. В. Путролайнен, Г. Б. Стефанович, А. А. Величко, Н. А. Кулдин // Вестник ВГТУ. – 2009. – Т. 5, № 11. – С. 99-102.
- Стефанович, Г. Б. Аморфный оксид ванадия - резист для нанолитографии [Текст] / Г. Б. Стефанович, А. Л. Пергамент, А. А. Величко [и др.] // Вестник ВГТУ. – 2009. – Т. 5, № 11. – С. 33–38.
- Черемисин, А. Б. Исследование модификации свойств анодных оксидных пленок переходных металлов при ионно-плазменном воздействии [Текст] / А. Б. Черемисин, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, В. В. Путролайнен, Г. Б. Стефанович // ПЖТФ. – 2009. – Т. 35, № 3. – С. 9–16.
- Черемисин, А. Б. Исследование модификации свойств анодных оксидных пленок переходных металлов при ионно-плазменном воздействии [Текст] / А. Б. Черемисин, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, В. В. Путролайнен, Г. Б. Стефанович // ПЖТФ. – 2009. – Т. 35, Вып. 3. – С. 9-16.
- Величко, А. А. Способ получения фотогальванического элемента [Текст] / А. А. Величко, А. Л. Пергамент, С. А. Мануилов, В. В. Путролайнен. – № 2392694 ; заявл. 30.06.2008 ; опубл. 10.01.2010.
- Путролайнен, В. В. Эффект электрического переключения с памятью в гидратированном аморфном диоксиде ванадия [Текст] / В. В. Путролайнен, П. П. Борисков, А. А. Величко, А. Л. Пергамент, Н. А. Кулдин // ЖТФ. – 2010. – Т. 80, вып. 2. – С. 88–91.
- Параничев, Д. К. Моделирование вольтамперных характеристик фотогальванического элемента на основе оксида никеля [Текст] / Д. К. Параничев, П. А. Болдин, Н. А. Кулдин, А. А. Величко, В. В. Путролайнен // Вестник ВГТУ. – 2011. – Т. 7, № 9. – С. 99-101.
- Черемисин, А. Б. Лазерная модификация атомной структуры аморфного пентаоксида ванадия [Текст] / А. Б. Черемисин, С. В. Логинова, П. П. Борисков [и др.] // Письма в ЖТФ. – 2011. – Т. 37, вып. 2. – С. 22-28.
- Куроптев, В. А. Исследование прототипа элемента ReRAM на основе нестехиометрических анодных оксидных пленок ниобия [Текст] / В. А. Куроптев, В. В. Путролайнен, Г. Б. Стефанович // Ученые записки Петрозаводского государственного университета. – 2012. – № 8 (129). – С. 95-98.
- Параничев, Д. К. Photovoltaic properties of Si-NiO structure [Текст] / Д. К. Параничев, А. А. Величко, В. В. Путролайнен, A. M. Гришин // Physica Status Solidi C. – 2012. – № 9.
- Путролайнен, В. В. Способ получения энергонезависимого элемента памяти [Текст] / В. В. Путролайнен, А. А. Величко, Г. Б. Стефанович, А. Л. Пергамент, Н. А. Кулдин. – № 2468471 ; заявл. 07.04.2011 ; опубл. 27.11.2012.
- Способ получения диода на основе оксида ниобия [Текст] / В. В. Путролайнен, Д. К. Параничев, П. А. Болдин, А. А. Величко, Г. Б. Стефанович. – Пат. № 2470409 Российская Федерация ; заявл. 16.06.2011 ; зарег. 20.12.2012 ; патентообладатель ГОУ ВПО "Петрозаводский госуниверситет". – 1 с.
- Pergament, A. L. Novel Hypostasis of Old Materials in Oxide Electronics: Metal Oxides for Resistive Random Access Memory Applications [Text] / A. L. Pergament, G. B. Stefanovich, A. A. Velichko [et al.] // Research in novel materials / Rafiqul Islam. – Dalhousie University, Canada, 2013. – P. 77-104.
- Дроздовский, А. В. Моделирование магнитных микро- и наноструктур методом волновых матриц передачи [Текст] / А. В. Дроздовский, В. В. Витько, М. С. Ланина [и др.] // Современные проблемы науки и образования. – 2013. – № 1. – Режим доступа: http://www.science-education.ru/107-r8205.
- Компоненты для 3D компьютерной памяти, гибкой и прозрачной электроники на основе оксидных материалов, получаемых низкотемпературными методами [Текст] : отчет о НИР (закл.) ; рук. Стефанович Г. Б. / Г. Б. Стефанович, А. А. Величко, А. Л. Пергамент [и др.]. – Петрозаводск, 2013. – 143 с. – № ГР 01201063827, инв. № 02201356870.
- Разработка гетероструктур на основе оксидных пленок для применения в 3D энергонезависимой памяти с наноразмерным масштаботм компонентов [Текст] : отчет о НИР (закл.) ; рук. Величко А. А. / А. А. Величко, A. M. Гришин, А. Л. Пергамент [и др.]. – Петрозаводск, 2013. – 56 с. – № ГР 01201169655, инв. № 02201356869.
- Belyaev, M. A. The Field Effect and Mott Transistor Based on Vanadium Dioxide [Text] / M. A. Belyaev, A. A. Velichko, P. P. Boriskov [et al.] // Journal on Selected Topics in Nano Electronics and Computing. – 2014. – № 2 (1). – P. 26-30.
- Putrolainen, V. V. Electroforming and Bipolar Resistive Switching in Si–SiO2–V2O5–Au Binary Oxide Structure [Text] / V. V. Putrolainen, A. A. Velichko, P. P. Boriskov [et al.] // Technical Physics Letters. – 2015. – V. 41, № 7. – P. 672–675.
- Velichko, A. A. Effect of memory electrical switching in metal/vanadium oxide/silicon structures with VO2 films obtained by the sol–gel method [Text] / A. A. Velichko, A. L. Pergament, V. V. Putrolainen, O. Y. Berezina, G. B. Stefanovich // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2015. – V. 29. – Р. 315–320.
- Путролайнен, В. В. Процесс электроформовки и биполярное резистивное переключение в двойной оксидной структуре Si-SiO2-V2O5-Au [Текст] / В. В. Путролайнен, А. А. Величко, П. П. Борисков [и др.] // ПЖТФ. – 2015. – Т. 41, вып. 14. – С. 16–24.
- Belyaev, M. A. Mobility-Modulation Field Effect Transistor Based on Electrospun Aluminum Doped Zinc Oxide Nanowires [Text] / M. A. Belyaev, A. A. Velichko, N. P. Markova, V. V. Putrolainen // Ecs journal of solid state science and technology. – 2016. – V. 5, № 3. – P. 92-97.
- Velichko, A. A. Switching dynamics of single and coupled VO2-based oscillators as elements of neural networks [Electronic resource] / A. A. Velichko, M. A. Belyaev, V. V. Putrolainen, A. L. Pergament, V. V. Perminov // International Journal of Modern Physics B. – 2016. – V. 30. – P. 35. – URL: http://dx.doi.org/10.1142/S0217979216502611.
- Belyaev, M. A. Electron beam modification of vanadium dioxide oscillators [Текст] / M. A. Belyaev, A. L. Pergament, V. V. Perminov, V. V. Putrolainen, A. A. Velichko // Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics. – 2017. – Vol. 14, № 3, № 1600236. – P. 1-5.
- Pergament, A. L. Electrical switching and oscillations in vanadium dioxid [Текст] / A. L. Pergament, A. A. Velichko, M. A. Belyaev, V. V. Putrolainen // Physica B: Condensed Matter. – 2017. – P. 1-10.
- Velichko, A. A. Switching dynamics of single and coupled VO2-based oscillators as elements of neural networks [Текст] / A. A. Velichko, M. A. Belyaev, V. V. Putrolainen, A. L. Pergament, V. V. Perminov // International Journal of Modern Physics B. – 2017. – № 31 (2). – P. 1650261. – URL: http://dx.doi.org/10.1142/S0217979216502611.
- Velichko, A. A. Thermal coupling and effect of subharmonic synchronization in a system of two VO2 based oscillatorstd [Electronic resource] / A. A. Velichko, M. A. Belyaev, V. V. Putrolainen, V. V. Perminov, A. L. Pergament // Solid-State Electronics. – 2018. – № 141. – P.40-49.
- Беляев, М. А. Динамика развития канала переключения в планарных структурах на основе диоксида ванадия [Текст] / М. А. Беляев, П. П. Борисков, А. А. Величко [и др.] // Физика твердого тела. – 2018. – Т. 60, вып. 3. – С. 443-451. – Режим доступа: http://www.ioffe.ru/journals/ftt.
- Программа для автоматизированного комплекса функционального тестирования промышленных образцов интегральных микросхем памяти на соответствие стандарту ONFi"NAND Flash Memory Tester" [Текст] / И. Е. Табачник, М. Б. Чувствин, С. Ф. Подрядчиков, В. В. Путролайнен. – № 2018660544 ; заявл. 16.07.2018 ; опубл. 23.08.2018 ; Свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. – 1 с.
- Путролайнен, В. В. Многокристальное корпусирование и тестирование микросхем NAND-памяти [Текст] / В. В. Путролайнен, С. Ф. Подрядчиков // Цифровые технологии в образовании, науке, обществе: материалы XII всероссийской научно-практической конференции (4–6 декабря 2018 года). – Петрозаводск, 2018. – С. 189-193. – Режим доступа: https://it2018.petrsu.ru/doc/it2018.pdf.
- Boriskov, P. P. Temperature simulation of system-in-package produced with hybrid chip mounting technology [Текст] = Моделирование температуры системы в корпусе, произведенной с использованием гибридной технологии монтажа микросхем / P. P. Boriskov, N. Y. Ershova, V. V. Putrolainen [et al.] // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering. – 2019. – Vol. 630. – P. 1-5.
- Ekimov, K. A. Testing experimental samples of solid state drives [Текст] / K. A. Ekimov, S. F. Podryadchikov, V. V. Putrolainen, M. A. Belyaev, E. I. Maslennikov // IOP Conf. Series: Materials Science and Engineering . – 2019. – № 032042. – P. 1-7.
- Perminov, V. V. Three-dimensional stacking IC packaging technology for NAND-flash memory [Текст] / V. V. Perminov, V. V. Putrolainen, A. S. Shtykov, A. V. Jartsev // IOP Conference Series: Materials Science and Engineering . – 2019. – V. 537, № 3 . – P. 032064.
- Podryadchikov, S. F. FPGA-based testing system of NAND-memory multi-chip modules [Текст] / S. F. Podryadchikov, V. V. Putrolainen, M. A. Belyaev, N. E. Tabachnik, M. B. Chuvstvin // Microelectronics Journal. – 2019. – V. 83. – P. 73-76.
- Беляев, М. А. Модуль сбора и предварительной обработки данных для промышленного интернета вещей [Текст] / М. А. Беляев, В. В. Путролайнен, С. А. Региня, П. В. Луньков // Цифровые технологии в образовании, науке, обществе : материалы XV всероссийской научно‐практической конференции (30 ноября — 03 декабря 2021 года). – Петрозаводск : Изд-во ПетрГУ, 2021. – С. 11-13. – Режим доступа: https://it2021.petrsu.ru/doc/it2021.pdf.